Једнокристална турбина оштрица

Лопатице за усмерену кристализацију елиминишу попречне границе зрна, које су осетљиве на шупљине и пукотине, тако да су све границе зрна паралелне са смером осе напона, чиме се побољшава употребљивост легуре. Сечиво од једног кристала елиминише све границе зрна, не морају да додају елементе за јачање граница зрна, тако да је почетна температура топљења легуре релативно висока, чиме се повећава чврстоћа легуре на високим температурама и даље побољшавају укупне перформансе легуре. легура. Једнокристалне оштрице цео одлив се састоји од зрнастог састава одливака од високотемпературних легура. Ово је након усмереног очвршћавања ливења високотемпературних легура, да би се додатно побољшала чврстоћа легуре и употреба температуре начина.

Одливци сечива од једног кристала идеалне организације су корен листа, тело листа и круна листа, састављени су од вишефазног монокристала без дефеката. Оријентација кристала треба да буде правац 〈001〉, а код осе главног напона смер између сечива не би требало да буде већи од 10 степени. Монокристални одливци се могу припремити истом опремом и поступком усмереног очвршћавања, а одливци усмереног очвршћавања се разликују само по водено хлађеној шасији горњег дела додавања селектора кристала или малог кристала, како би се контролисао монокристал. у ливење.

Кратка историја иницијалног ливења монокристалних легура на високим температурама коришћењем обичне легуре за ливење на високим температурама, у овом случају, легура за ливење од једног кристала на високим температурама и легура на високим температурама за ливење у правцу очвршћавања, поред побољшања попречне чврстоће и пластичност и друга својства и нема значајнијег побољшања. Крајем 1970-их, појава уклањања граница зрна ојачаних (види високотемпературне легуре ојачане границама зрна) елемената од ливеног монокристалних легура високе температуре, као што је амерички ПвАл480, НАСАИРл00.

угљеник, бор, цирконијум, хафнијум и други елементи за јачање граница зрна су уклоњени да би се побољшала почетна температура топљења легуре, чиме се омогућава да се побољша температура третмана чврстог раствора, да се добије финија, дифузнија И' фаза (погледајте материјале легуре високе температуре фазе интерметалних једињења), тако да је потенцијал легуре да добије потпунију игру. После више од 20 година развоја, више од 20 типова појавиле су се монокристалне ливене високотемпературне легуре. Ове легуре се могу поделити у три генерације: прва генерација до ПвАл480 као представника свог температурног капацитета од најбољег усмереног очвршћавања високотемпературне легуре ПвАл422 има предност од 25 степени; друга генерација на ПвАл484 као представник прве генерације од прве генерације и побољшана за 25 степени; развија се трећа генерација монокристалних легура.